Wytworzono grafen bezpośrednio na półprzewodniku
Próby uzyskiwania elementów układów scalonych z dużych płacht grafenu napotykają na poważne ograniczenia. Chodzi o to, że nie znamy metod pozwalających na precyzyjne wycinanie w grafenie. Tradycyjnie stosowane w produkcji układów scalonych techniki fotolitograficzne pozostawiają niestety materiał z postrzępionymi krawędziami cięcia. A grafen, będący zwykle przewodnikiem, wykazuje niezbędne w elektronice właściwości półprzewodnika wyłącznie w postaci bardzo wąskich wstążek o idealnie równych krawędziach.
Technologia opracowana przez uczonych z Argonne National Laboratory oraz University of Wisconsin jest kolejną wariacją metody chemicznego osadzania z fazy gazowej (ang. chemical vapour deposition – CVD), jednak wprowadzająca ważne innowacje. Dzięki wykorzystaniu jako podłoża krystalicznego germanu oraz znacznemu zmniejszeniu tempa procesu, uzyskano cienkie i równe grafenowe wstęgi (nawet poniżej 10 nm grubości). Jest to bardzo ważne nie tylko ze względu na gęstość upakowania układów scalonych, ale też dlatego, że im cieńsza węglowa wstążka, tym wyraźniejsza występuje w niej przerwa energetyczna (czyli tym bardziej zachowuje się jak typowy półprzewodnik, zamiast jak przewodnik).
Cały artykuł na stronie: whatnext.pl
Źródło: hackaday.com za http://whatnext.pl
Fot.: photogenica.pl
